一 、单选题
1. 用于测试硅片中少数载流子类型的测试是（ ）。
A. 四探针法
B. 整流法
C. X射线法
D. 显微镜观察法
答案：B
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2. 最常用于测试硅片电阻率的方法是（ ）。
A. 扩展电阻法
B. 四探针法
C. 两探针法
D. 范德堡法
答案：B
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3. 最常用于测试硅片电阻率的方法是（ ）。
A. 扩展电阻法
B. 四探针法
C. 两探针法
D. 范德堡法
答案：B
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4. 据《参考消息》报道，有科学家提出硅是“21世纪的能源”、“未来的石油”的观点。假如硅作为一种普遍使用的新型能源被开发利用，下列关于其有利因素的说法中，你认为不妥的是（ ）。
A. 便于运输、储存，从安全角度考虑，硅是最佳的燃料
B. 自然界的含硅化合物易开采，我们的目标是要做全覆盖、全正确的答案搜索服务。
C. 硅燃烧放出的热量大，燃烧产物对环境污染程度低且容易有效控制
D. 自然界中存在大量单质硅
答案：D
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5. 关于硅的化学性质说法错误的是（ ）。
A. 硅单质在常温下化学性质十分稳定
B. 硅单质在常温下能与氢氟酸和硝酸的混合物反应
C. 在高温下，硅几乎与所有物质发生化学反应
D. 硅材料的一个重要优点就是硅表面很不容易氧化
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6. 以下太阳电池成本（单位：美元/W）最低的是（ ）。
A. 非晶硅薄膜
B. 多晶硅
C. 铜铟镓硒
D. 微晶硅薄膜
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7. 非晶硅具有大量的结构缺陷，主要是（ ）。
A. 悬挂键
B. 杂质
C. 位错
D. C-Si弱键
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8. 铸造多晶硅制备目前最常用的方法是（ ）。
A. 布里奇曼法
B. 电磁铸锭法
C. 浇铸法
D. 热交换法
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9. 关于采用区域提纯法去除硅中硼杂质描述正确的是（ ）。
A. 几乎无效果
B. 效果明显
C. 取决于温度
D. 取决于硼的含量
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10. 硅片中磷扩散进行掺杂的原料是（ ）。
A. PH3
B. PH5
C. POCl3
D. B2O3
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11. 二元相图通常采用（）的坐标系。
A. 温度-压力（T-p）图
B. 温度-浓度（T-x）图
C. 三棱柱模型
D. 压强-浓度（p-x）图
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12. CZ法生长单晶硅工艺依次有加料、熔化以及（ ）。
A. 放肩生长、缩颈生长、等径生长、尾部生长
B. 等径生长、缩颈生长、放肩生长、尾部生长
C. 缩颈生长、放肩生长、等径生长、尾部生长
D. 缩颈生长、等径生长、放肩生长、尾部生长
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13. 观察晶体中位错最简单的方法是（ ）。
A. 透射电镜法
B. 肉眼观察法
C. 浸蚀观察法
D. 手触感觉法
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14. 原子（或分子）的扩散是依靠（ ）缺陷的运动而实现的。
A. 点缺陷
B. 线缺陷
C. 面缺陷
D. 体缺陷
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15. 硅晶胞中的原子数为（ ）。
A. 1
B. 8
C. 14
D. 4
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16. 关于染料敏化太阳电池中的纳米晶要求错误的是（ ）。
A. 高的比表面积和大量的孔隙国开一网一平台
B. 尽可能多的吸附染料
C. 晶粒越大越好
D. 最大限度的与电解质紧密接触
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17. 以下太阳电池成本（单位：美元/W）最低的是（ ）。
A. 非晶硅薄膜
B. 多晶硅
C. 铜铟镓硒
D. 微晶硅薄膜
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18. 对比传统西门子法，改良西门子法的优点，错误的是（ ）。
A. 节约时间
B. 降低物耗
C. 节能
D. 减少污染
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19. 关于四氯化硅以下说法错误的是（ ）。
A. 无色而有刺鼻气味的液体
B. 熔点-70℃，沸点57.6℃
C. 可以经吸入、食入、经皮吸收，对眼睛及上呼吸道有强烈刺激作用
D. 不溶于苯、氯仿、石油醚等多数有机溶剂
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20. 改良西门子法所采用的提纯工艺是（ ）。
A. 吸附
B. 精馏
C. 物理提纯法
D. 区域提纯
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二 、多选题
1. 硅片的平整度一般用（ ）参数来表示。
A. BOW
B. TTV
C. TIR
D. FPD
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2. 金属杂质的吸杂工艺一般包括（ ）。
A. 升温熔化金属杂质
B. 原金属沉淀的溶解
C. 金属原子的扩散
D. 金属杂质在吸杂点处的重新沉淀，我们的目标是要做全覆盖、全正确的答案搜索服务。
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3. 磷在硅中很容易去除，在于（ ）。
A. 磷在硅熔液中很快得到蒸发
B. 磷的密度小
C. 磷在硅中的分配系数小于1
D. 磷的熔点低
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4. 金属杂质的吸杂工艺一般包括：（ ）
A. 原金属沉淀的溶解
B. 金属原子的扩散
C. 金属杂质的吸杂点处的重新沉淀
D. 升温熔化金属杂质
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5. 浇铸法的缺点在于（ ）。
A. 熔融和结晶使用不同的坩埚，会导致二次污染
B. 有坩埚翻转机构及引锭机构，使得其结构相对较复杂
C. 生产效率低
D. 能耗高
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6. 石英坩埚喷涂氮化硅的作用是（ ）。
A. 隔离硅熔体与石英坩埚，减少杂质
B. 绝热，保温
C. 降低热应力
D. 有效较少碎裂，使坩埚能重复利用
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7. 以下对吸附描述正确的是（ ）。
A. 物理吸附是可逆的
B. 物理吸附是不可逆的
C. 化学吸附是可逆的
D. 化学吸附是不可逆的
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8. 无坩埚区域提纯（ ）。
A. 也可用于晶体生长国开一网一平台
B. 避免了坩埚的污染
C. 熔硅不会流动是由于其很大的表面张力
D. 硅也能采用水平区域提纯法
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9. 观察晶体中位错的方法有（ ）。
A. 浸蚀观察法
B. 透射电镜法
C. 手触感觉法
D. 肉眼观察法
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10. 常用的多晶硅薄膜的制备方法有（ ）。
A. 利用化学气相沉积直接制备多晶硅薄膜
B. 非晶硅晶化制备
C. 将多晶硅片切薄
D. 对多晶硅片进行热处理，我们的目标是要做全覆盖、全正确的答案搜索服务。
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三 、问答题
1. 铸造多晶硅是利用铸造技术制备的多晶硅，与单晶硅制备方法相比，成本相对降低。但是铸造多晶硅中存在大量形态各异的晶粒、晶界、位错、杂质，它们都会对最终的转换效率产生影响。实际应用中，为了制备优良的太阳能电池，在铸造多晶硅生长时，需要解决哪些问题？并简单叙述为什么要解决这些问题？
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2. 单晶硅生长和加工过程中，往往不可避免的会引入一些杂质，如氧、碳、氮等非金属杂质和某些金属杂质，这些杂质对硅材料的性能往往会有很大的影响。与氧、碳杂质相比，硅中杂质氮的浓度通常较低。简单叙述硅中氮的来源、存在形式及其对单晶硅的性能影响？
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发表于 2024-4-20 11:31:11
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