一 、单选题
1. 最常用于测试硅片电阻率的方法是（ ）。
A. 扩展电阻法
B. 四探针法
C. 两探针法
D. 范德堡法
答案：B
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2. 少子寿命的物理意义是（ ）。
A. 非平衡少数载流子复合所需要的平均时间
B. 非平衡少数载流子扩散所需要的平均时间
C. 非平衡少数载流子跃迁所需要的平均时间
D. 以上都不对
答案：A
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3. 最常用于测试硅片电阻率的方法是（ ）。
A. 扩展电阻法
B. 四探针法
C. 两探针法
D. 范德堡法
答案：B
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4. 关于硅的化学性质说法错误的是（ ）。
A. 硅单质在常温下化学性质十分稳定，我们的目标是要做全覆盖、全正确的答案搜索服务。
B. 硅单质在常温下能与氢氟酸和硝酸的混合物反应
C. 在高温下，硅几乎与所有物质发生化学反应
D. 硅材料的一个重要优点就是硅表面很不容易氧化
答案：D
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5. 自然界中硅有三种同位素28Si，28Si，
28Si，存量最多的是（ ）。
A. 28Si，我们的目标是要做全覆盖、全正确的答案搜索服务。
B. 29Si
C. 30Si
D. 不能确定
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6. 非晶硅具有大量的结构缺陷，主要是（ ）。
A. 悬挂键
B. 杂质
C. 位错
D. C-Si弱键
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7. 以下太阳电池成本（单位：美元/W）最低的是（ ）。
A. 非晶硅薄膜
B. 多晶硅
C. 铜铟镓硒
D. 微晶硅薄膜
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8. 关于采用区域提纯法去除硅中硼杂质描述正确的是（ ）。
A. 几乎无效果
B. 效果明显
C. 取决于温度
D. 取决于硼的含量
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9. 区熔法制备单晶硅时，以下说法正确的是（ ）。
A. 不需要坩埚
B. 需要一个石英坩埚用于溶化
C. 需要一个石英坩埚和一个石墨坩埚
D. 需要一个石墨坩埚
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10. 铸造多晶硅制备目前最常用的方法是（ ）。
A. 布里奇曼法
B. 电磁铸锭法
C. 浇铸法
D. 热交换法
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11. 适用于制备高阻单晶硅和探测器高纯单晶硅的方法为（ ）。
A. 直拉法
B. 区熔法
C. 西门子法
D. 热交换法
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12. 太阳电池用直拉单晶硅中的主要缺陷是（ ）。
A. 空位
B. 杂质原子
C. 位错
D. 二次缺陷
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13. 直拉法生长单晶硅所采用的石墨坩埚可以多次使用，它的作用是（ ）。
A. 盛硅熔体
B. 补充氧
C. 支撑石英坩埚
D. 加热
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14. 原子（或分子）的扩散是依靠（ ）缺陷的运动而实现的。
A. 点缺陷
B. 线缺陷
C. 面缺陷
D. 体缺陷
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15. 硅晶胞中的原子数为（ ）。
A. 1
B. 8
C. 14
D. 4
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16. 关于染料敏化太阳电池中的纳米晶要求错误的是（ ）。
A. 高的比表面积和大量的孔隙
B. 尽可能多的吸附染料
C. 晶粒越大越好
D. 最大限度的与电解质紧密接触
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17. 以下太阳电池成本（单位：美元/W）最低的是（ ）。
A. 非晶硅薄膜
B. 多晶硅
C. 铜铟镓硒
D. 微晶硅薄膜
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18. 改良西门子法所采用的提纯工艺是（ ）。
A. 吸附
B. 精馏
C. 物理提纯法
D. 区域提纯
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19. 关于四氯化硅以下说法错误的是（ ）。
A. 无色而有刺鼻气味的液体
B. 熔点-70℃，沸点57.6℃
C. 可以经吸入、食入、经皮吸收，对眼睛及上呼吸道有强烈刺激作用
D. 不溶于苯、氯仿、石油醚等多数有机溶剂
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20. 关于四氯化硅以下说法错误的是（ ）。，我们的目标是要做全覆盖、全正确的答案搜索服务。
A. 无色而有刺鼻气味的液体
B. 熔点-70℃，沸点57.6℃
C. 可以经吸入、食入、经皮吸收，对眼睛及上呼吸道有强烈刺激作用
D. 不溶于苯、氯仿、石油醚等多数有机溶剂
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二 、多选题
1. 硅片清洗的作用是（ ）。
A. 提高绝缘性能
B. 去除边缘腐蚀时的油污、水气、灰尘
C. 降低杂质离子对P-N结性能的影响
D. 降低杂质的存在带来的硅片的电阻率不稳定
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2. 金属杂质的吸杂工艺一般包括（ ）。
A. 升温熔化金属杂质
B. 原金属沉淀的溶解
C. 金属原子的扩散
D. 金属杂质在吸杂点处的重新沉淀
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3. 由于跟FZ技术相比，CZ法具有（ ）。
A. 熔体稳定
B. 晶体直径大
C. 对多晶形状要求低
D. 通过晶转和锅转控制晶体-熔体边界层能较好的控制径向掺杂均匀度
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4. 多晶硅锭的低质量区杂质较多是由于（ ）。
A. 与坩埚接触部分引入了杂质
B. 晶粒尺寸较小
C. 晶体凝固的分凝作用
D. 热应力
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5. 石英坩埚喷涂氮化硅的作用是（ ）。
A. 隔离硅熔体与石英坩埚，减少杂质
B. 绝热，保温
C. 降低热应力
D. 有效较少碎裂，使坩埚能重复利用
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6. 浇铸法的缺点在于（ ）。
A. 熔融和结晶使用不同的坩埚，会导致二次污染
B. 有坩埚翻转机构及引锭机构，使得其结构相对较复杂
C. 生产效率低
D. 能耗高
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7. 以下对吸附描述正确的是（ ）。
A. 物理吸附是可逆的
B. 物理吸附是不可逆的
C. 化学吸附是可逆的
D. 化学吸附是不可逆的
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8. 改良西门子法生产多晶硅的主要优点有（ ）。
A. 节能
B. 降低物耗
C. 减少污染
D. 生长速度快
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9. 下列属于晶体的宏观特性的有（ ）。
A. 长程有序
B. 固定熔点
C. 解理性
D. 各向异性
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10. 关于硅的电阻率说法正确的是（ ）。
A. 在高纯硅中掺入极微量的电活性杂质，其电阻率会显著下降
B. 硅的电导率对外界因素（如光、热、磁等）高度敏感
C. N型半导体中也有自由电子，但数量很少，称为少数载流子
D. N型半导体和P型半导体的导电能力都比本征半导体大得多
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三 、问答题
1. 简述太阳能电池用单晶硅加工所经历的滚圆、切片、倒角、磨片、化学腐蚀等5道主要工序的目的。
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2. 简述单晶硅、多晶硅、非晶硅的定义及主要相关工艺？
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发表于 2024-4-20 11:32:11
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