一 、单选题
1. 利用温差电效应来测量晶体硅导电类型的方法称为（ ）。
A. 冷热探针法
B. 整流法
C. 双电源动态电导法
D. 霍尔效应法
答案：A
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2. 用于测试硅片中少数载流子类型的测试是（ ）。
A. 四探针法国开一网一平台
B. 整流法
C. X射线法
D. 显微镜观察法
答案：B
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3. 最常用于测试硅片电阻率的方法是（ ）。
A. 扩展电阻法
B. 四探针法
C. 两探针法
D. 范德堡法
答案：B
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4. 关于硅的化学性质说法错误的是（ ）。
A. 硅单质在常温下化学性质十分稳定
B. 硅单质在常温下能与氢氟酸和硝酸的混合物反应
C. 在高温下，硅几乎与所有物质发生化学反应
D. 硅材料的一个重要优点就是硅表面很不容易氧化
答案：D
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5. 自然界中硅有三种同位素28Si，28Si，
28Si，存量最多的是（ ）。
A. 28Si
B. 29Si
C. 30Si
D. 不能确定
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6. 非晶硅具有大量的结构缺陷，主要是（ ）。
A. 悬挂键
B. 杂质
C. 位错
D. C-Si弱键
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7. 以下太阳电池成本（单位：美元/W）最低的是（ ）。
A. 非晶硅薄膜
B. 多晶硅
C. 铜铟镓硒
D. 微晶硅薄膜
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8. 硅片中磷扩散进行掺杂的原料是（ ）。
A. PH3
B. PH5
C. POCl3
D. B2O3
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9. 相平衡条件要求平衡相的（ ）相等。
A. 温度
B. 压强
C. 体积
D. 化学势
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10. 关于采用区域提纯法去除硅中硼杂质描述正确的是（ ）。
A. 几乎无效果
B. 效果明显
C. 取决于温度
D. 取决于硼的含量
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11. 生产直拉单晶硅时，单晶炉内需要通入（ ）作为保护气体。
A. 空气
B. 氧气
C. 氩气
D. 氢气
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12. 生产直拉单晶硅时，单晶炉内需要通入（ ）作为保护气体。
A. 空气
B. 氧气
C. 氩气
D. 氢气
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13. 适用于制备高阻单晶硅和探测器高纯单晶硅的方法为（ ）。
A. 直拉法
B. 区熔法
C. 西门子法
D. 热交换法
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14. GaAs属于（ ）。
A. 面心立方结构
B. 体心立方结构
C. 闪锌矿结构
D. 金刚石结构
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15. 硅晶胞中的原子数为（ ）。
A. 1
B. 8
C. 14国开一网一平台
D. 4
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16. 关于染料敏化太阳电池中的纳米晶要求错误的是（ ）。
A. 高的比表面积和大量的孔隙
B. 尽可能多的吸附染料
C. 晶粒越大越好
D. 最大限度的与电解质紧密接触
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17. 以下太阳电池成本（单位：美元/W）最低的是（ ）。
A. 非晶硅薄膜
B. 多晶硅
C. 铜铟镓硒
D. 微晶硅薄膜
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18. 关于四氯化硅以下说法错误的是（ ）。
A. 无色而有刺鼻气味的液体
B. 熔点-70℃，沸点57.6℃
C. 可以经吸入、食入、经皮吸收，对眼睛及上呼吸道有强烈刺激作用
D. 不溶于苯、氯仿、石油醚等多数有机溶剂
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19. 关于四氯化硅以下说法错误的是（ ）。
A. 无色而有刺鼻气味的液体
B. 熔点-70℃，沸点57.6℃
C. 可以经吸入、食入、经皮吸收，对眼睛及上呼吸道有强烈刺激作用
D. 不溶于苯、氯仿、石油醚等多数有机溶剂
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20. 改良西门子法所采用的提纯工艺是（ ）。国开一网一平台
A. 吸附
B. 精馏
C. 物理提纯法
D. 区域提纯
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二 、多选题
1. 硅片的平整度一般用（ ）参数来表示。
A. BOW
B. TTV
C. TIR
D. FPD
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2. 硅片清洗的作用是（ ）。
A. 提高绝缘性能
B. 去除边缘腐蚀时的油污、水气、灰尘
C. 降低杂质离子对P-N结性能的影响
D. 降低杂质的存在带来的硅片的电阻率不稳定
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3. 磷在硅中很容易去除，在于（ ）。
A. 磷在硅熔液中很快得到蒸发
B. 磷的密度小
C. 磷在硅中的分配系数小于1
D. 磷的熔点低
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4. 磷在硅中很容易去除，在于（ ）。
A. 磷在硅熔液中很快得到蒸发
B. 磷的密度小
C. 磷在硅中的分配系数小于1
D. 磷的熔点低
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5. 浇铸法的缺点在于（ ）。
A. 熔融和结晶使用不同的坩埚，会导致二次污染
B. 有坩埚翻转机构及引锭机构，使得其结构相对较复杂
C. 生产效率低
D. 能耗高
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6. 石英坩埚喷涂氮化硅的作用是（ ）。
A. 隔离硅熔体与石英坩埚，减少杂质
B. 绝热，保温
C. 降低热应力
D. 有效较少碎裂，使坩埚能重复利用
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7. 目前工业生产中由高纯多晶硅生长单晶硅基本上以（ ）方法为主。
A. 区熔法
B. 热交换法
C. 直拉法
D. 浇铸法
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8. 改良西门子法生产多晶硅的主要优点有（ ）。
A. 节能
B. 降低物耗
C. 减少污染
D. 生长速度快
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9. 有机太阳电池基本的结构模型有（ ）。
A. PIN结构
B. 单层同异质结结构
C. 双层异质结结构
D. 单层混合膜异质结结构
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10. 常用的多晶硅薄膜的制备方法有（ ）。
A. 利用化学气相沉积直接制备多晶硅薄膜
B. 非晶硅晶化制备
C. 将多晶硅片切薄
D. 对多晶硅片进行热处理
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三 、问答题
1. 晶体缺陷根据缺陷的空间几何图像的分类及各自代表性缺陷。
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2. 单晶硅生长和加工过程中，往往不可避免的会引入一些杂质，如氧、碳、氮等非金属杂质和某些金属杂质，这些杂质对硅材料的性能往往会有很大的影响。与氧、碳杂质相比，硅中杂质氮的浓度通常较低。简单叙述硅中氮的来源、存在形式及其对单晶硅的性能影响？
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发表于 2024-4-20 11:33:11
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