一 、单选题
1. 最常用于测试硅片电阻率的方法是（ ）。
A. 扩展电阻法，我们的目标是要做全覆盖、全正确的答案搜索服务。
B. 四探针法
C. 两探针法
D. 范德堡法
答案：B
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2. 最常用于测试硅片电阻率的方法是（ ）。
A. 扩展电阻法
B. 四探针法
C. 两探针法
D. 范德堡法
答案：B
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3. 利用温差电效应来测量晶体硅导电类型的方法称为（ ）。
A. 冷热探针法
B. 整流法
C. 双电源动态电导法
D. 霍尔效应法
答案：A
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4. 关于二氧化硅以下说法错误的是（ ）。
A. 制造冶金硅的主要原料之一
B. 能与HF反应
C. SiO2不溶于水，但能于热的浓碱溶液反应生成硅酸盐，反应较快
D. 石英是地壳中分布很少的矿物质
答案：D
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5. 关于硅的化学性质说法错误的是（ ）。
A. 硅单质在常温下化学性质十分稳定
B. 硅单质在常温下能与氢氟酸和硝酸的混合物反应
C. 在高温下，硅几乎与所有物质发生化学反应
D. 硅材料的一个重要优点就是硅表面很不容易氧化
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6. 以下太阳电池成本（单位：美元/W）最低的是（ ）。
A. 非晶硅薄膜
B. 多晶硅
C. 铜铟镓硒
D. 微晶硅薄膜
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7. 非晶硅具有大量的结构缺陷，主要是（ ）。
A. 悬挂键
B. 杂质
C. 位错
D. C-Si弱键
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8. 铸造多晶硅制备目前最常用的方法是（ ）。
A. 布里奇曼法
B. 电磁铸锭法
C. 浇铸法
D. 热交换法
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9. （ ）是硅提纯的重要环节。
A. 三氯氢硅的合成
B. 三氯氢硅的还原
C. 三氯氢硅的提纯
D. 硅烷的提纯
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10. 区熔法制备单晶硅时，以下说法正确的是（ ）。
A. 不需要坩埚
B. 需要一个石英坩埚用于溶化
C. 需要一个石英坩埚和一个石墨坩埚
D. 需要一个石墨坩埚
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11. 适用于制备高阻单晶硅和探测器高纯单晶硅的方法为（ ）。
A. 直拉法，我们的目标是要做全覆盖、全正确的答案搜索服务。
B. 区熔法
C. 西门子法
D. 热交换法
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12. 太阳电池用直拉单晶硅中的主要缺陷是（ ）。
A. 空位
B. 杂质原子
C. 位错
D. 二次缺陷
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13. 二元相图通常采用（）的坐标系。
A. 温度-压力（T-p）图
B. 温度-浓度（T-x）图
C. 三棱柱模型
D. 压强-浓度（p-x）图
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14. GaAs属于（ ）。
A. 面心立方结构
B. 体心立方结构
C. 闪锌矿结构
D. 金刚石结构
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15. 原子（或分子）的扩散是依靠（ ）缺陷的运动而实现的。
A. 点缺陷
B. 线缺陷
C. 面缺陷
D. 体缺陷
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16. 关于染料敏化太阳电池中的纳米晶要求错误的是（ ）。
A. 高的比表面积和大量的孔隙
B. 尽可能多的吸附染料国开一网一平台
C. 晶粒越大越好
D. 最大限度的与电解质紧密接触
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17. 以下太阳电池成本（单位：美元/W）最低的是（ ）。
A. 非晶硅薄膜
B. 多晶硅
C. 铜铟镓硒
D. 微晶硅薄膜
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18. 改良西门子法所采用的提纯工艺是（ ）。
A. 吸附
B. 精馏
C. 物理提纯法
D. 区域提纯
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19. Dash工艺主要解决的是（ ）。
A. 加入转晶
B. 减少位错
C. 放肩
D. 热应力
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20. 关于四氯化硅以下说法错误的是（ ）。
A. 无色而有刺鼻气味的液体
B. 熔点-70℃，沸点57.6℃
C. 可以经吸入、食入、经皮吸收，对眼睛及上呼吸道有强烈刺激作用
D. 不溶于苯、氯仿、石油醚等多数有机溶剂
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二 、多选题
1. 硅片清洗的作用是（ ）。
A. 提高绝缘性能
B. 去除边缘腐蚀时的油污、水气、灰尘
C. 降低杂质离子对P-N结性能的影响
D. 降低杂质的存在带来的硅片的电阻率不稳定国开一网一平台
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2. 金属杂质的吸杂工艺一般包括（ ）。
A. 升温熔化金属杂质
B. 原金属沉淀的溶解
C. 金属原子的扩散
D. 金属杂质在吸杂点处的重新沉淀
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3. 金属杂质的吸杂工艺一般包括：（ ）
A. 原金属沉淀的溶解
B. 金属原子的扩散
C. 金属杂质的吸杂点处的重新沉淀
D. 升温熔化金属杂质
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4. 磷在硅中很容易去除，在于（ ）。
A. 磷在硅熔液中很快得到蒸发
B. 磷的密度小
C. 磷在硅中的分配系数小于1
D. 磷的熔点低
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5. 浇铸法的缺点在于（ ）。
A. 熔融和结晶使用不同的坩埚，会导致二次污染
B. 有坩埚翻转机构及引锭机构，使得其结构相对较复杂
C. 生产效率低
D. 能耗高
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6. 石英坩埚喷涂氮化硅的作用是（ ）。
A. 隔离硅熔体与石英坩埚，减少杂质
B. 绝热，保温
C. 降低热应力
D. 有效较少碎裂，使坩埚能重复利用
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7. 工业吸附对于吸附剂的要求包括（ ）。
A. 具有较大的内表面，吸附容量大
B. 选择性高
C. 具有一定的机械强度，抗磨损
D. 有良好的物理及化学性能，耐热冲击，耐腐蚀
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8. 改良西门子法生产多晶硅的主要优点有（ ）。，我们的目标是要做全覆盖、全正确的答案搜索服务。
A. 节能
B. 降低物耗
C. 减少污染
D. 生长速度快
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9. 观察晶体中位错的方法有（ ）。
A. 浸蚀观察法
B. 透射电镜法
C. 手触感觉法
D. 肉眼观察法
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10. 关于三氯氢硅说法正确的是（ ）。
A. 无色透明液体
B. 可由硅粉与氯化氢合成而得
C. 可在高温高压下用氢还原四氯化硅生成三氯氢硅
D. 熔点-128℃，沸点31.5℃国开一网一平台
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三 、问答题
1. 简述太阳能电池用单晶硅加工所经历的滚圆、切片、倒角、磨片、化学腐蚀等5道主要工序的目的。
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2. 简述直熔法的基本原理。
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发表于 2024-4-20 11:30:11
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