一 、单选题
1. 最常用于测试硅片电阻率的方法是（ ）。
A. 扩展电阻法
B. 四探针法
C. 两探针法
D. 范德堡法
答案：B
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2. 最常用于测试硅片电阻率的方法是（ ）。
A. 扩展电阻法，我们的目标是要做全覆盖、全正确的答案搜索服务。
B. 四探针法
C. 两探针法
D. 范德堡法
答案：B
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3. 用于测试硅片中少数载流子类型的测试是（ ）。
A. 四探针法
B. 整流法，我们的目标是要做全覆盖、全正确的答案搜索服务。
C. X射线法
D. 显微镜观察法
答案：B
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4. 据《参考消息》报道，有科学家提出硅是“21世纪的能源”、“未来的石油”的观点。假如硅作为一种普遍使用的新型能源被开发利用，下列关于其有利因素的说法中，你认为不妥的是（ ）。
A. 便于运输、储存，从安全角度考虑，硅是最佳的燃料
B. 自然界的含硅化合物易开采
C. 硅燃烧放出的热量大，燃烧产物对环境污染程度低且容易有效控制
D. 自然界中存在大量单质硅
答案：D
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5. 自然界中硅有三种同位素28Si，28Si，
28Si，存量最多的是（ ）。
A. 28Si
B. 29Si
C. 30Si
D. 不能确定
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6. 非晶硅具有大量的结构缺陷，主要是（ ）。
A. 悬挂键
B. 杂质
C. 位错
D. C-Si弱键
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7. 以下太阳电池成本（单位：美元/W）最低的是（ ）。
A. 非晶硅薄膜
B. 多晶硅
C. 铜铟镓硒
D. 微晶硅薄膜
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8. 相平衡条件要求平衡相的（ ）相等。
A. 温度，我们的目标是要做全覆盖、全正确的答案搜索服务。
B. 压强
C. 体积
D. 化学势
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9. 铸造多晶硅制备目前最常用的方法是（ ）。
A. 布里奇曼法
B. 电磁铸锭法
C. 浇铸法
D. 热交换法
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10. 关于采用区域提纯法去除硅中硼杂质描述正确的是（ ）。
A. 几乎无效果
B. 效果明显
C. 取决于温度
D. 取决于硼的含量
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11. 直拉法生长单晶硅所采用的石墨坩埚可以多次使用，它的作用是（ ）。
A. 盛硅熔体
B. 补充氧
C. 支撑石英坩埚
D. 加热
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12. 太阳电池用直拉单晶硅中的主要缺陷是（ ）。
A. 空位
B. 杂质原子
C. 位错
D. 二次缺陷
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13. 观察晶体中位错最简单的方法是（ ）。
A. 透射电镜法
B. 肉眼观察法
C. 浸蚀观察法
D. 手触感觉法
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14. 多晶硅属于（ ）。
A. 面心立方结构
B. 体心立方结构
C. 金刚石结构
D. 简单立方结构
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15. GaAs属于（ ）。
A. 面心立方结构
B. 体心立方结构
C. 闪锌矿结构
D. 金刚石结构
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16. 以下太阳电池成本（单位：美元/W）最低的是（ ）。
A. 非晶硅薄膜
B. 多晶硅
C. 铜铟镓硒
D. 微晶硅薄膜，我们的目标是要做全覆盖、全正确的答案搜索服务。
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17. 关于染料敏化太阳电池中的纳米晶要求错误的是（ ）。
A. 高的比表面积和大量的孔隙
B. 尽可能多的吸附染料
C. 晶粒越大越好
D. 最大限度的与电解质紧密接触
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18. 对比传统西门子法，改良西门子法的优点，错误的是（ ）。
A. 节约时间
B. 降低物耗
C. 节能
D. 减少污染
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19. 改良西门子法所采用的提纯工艺是（ ）。
A. 吸附
B. 精馏
C. 物理提纯法
D. 区域提纯
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20. 关于四氯化硅以下说法错误的是（ ）。
A. 无色而有刺鼻气味的液体
B. 熔点-70℃，沸点57.6℃
C. 可以经吸入、食入、经皮吸收，对眼睛及上呼吸道有强烈刺激作用
D. 不溶于苯、氯仿、石油醚等多数有机溶剂
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二 、多选题
1. 硅片的翘曲度一般用（ ）参数来表示。
A. BOW
B. TTV
C. TIR
D. WARP，我们的目标是要做全覆盖、全正确的答案搜索服务。
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2. 金属杂质的吸杂工艺一般包括（ ）。
A. 升温熔化金属杂质
B. 原金属沉淀的溶解
C. 金属原子的扩散
D. 金属杂质在吸杂点处的重新沉淀
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3. 以下哪些工艺是热交换法制备多晶硅必须的（ ）。
A. 化料
B. 晶体生长
C. 退火
D. 坩锅喷涂
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4. 金属杂质的吸杂工艺一般包括：（ ）
A. 原金属沉淀的溶解
B. 金属原子的扩散
C. 金属杂质的吸杂点处的重新沉淀
D. 升温熔化金属杂质
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5. 浇铸法的缺点在于（ ）。
A. 熔融和结晶使用不同的坩埚，会导致二次污染
B. 有坩埚翻转机构及引锭机构，使得其结构相对较复杂
C. 生产效率低
D. 能耗高
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6. 石英坩埚喷涂氮化硅的作用是（ ）。
A. 隔离硅熔体与石英坩埚，减少杂质
B. 绝热，保温
C. 降低热应力
D. 有效较少碎裂，使坩埚能重复利用
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7. 改良西门子法生产多晶硅的主要优点有（ ）。
A. 节能
B. 降低物耗
C. 减少污染
D. 生长速度快
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8. 以下对吸附描述正确的是（ ）。
A. 物理吸附是可逆的
B. 物理吸附是不可逆的
C. 化学吸附是可逆的
D. 化学吸附是不可逆的
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9. 下列关于硅的卤化物说法正确的是（ ）。，我们的目标是要做全覆盖、全正确的答案搜索服务。
A. 都是共价化合物
B. 熔点、沸点都比较低
C. 无水四氟化硅不稳定
D. 四氟化硅无色、有刺激气味、在水中强烈水解
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10. 具有金刚石结构的晶体的解理面包括（ ）。
A. {100}晶面
B. {211}晶面
C. {111}晶面
D. {110}晶面
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三 、问答题
1. 单晶硅生长和加工过程中，往往不可避免的会引入一些杂质，如氧、碳、氮等非金属杂质和某些金属杂质，这些杂质对硅材料的性能往往会有很大的影响。与氧、碳杂质相比，硅中杂质氮的浓度通常较低。简单叙述硅中氮的来源、存在形式及其对单晶硅的性能影响？
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2. 请简述直拉单晶硅生产的工艺流程，并阐述每一步工艺的作用。
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发表于 2024-4-20 11:38:11
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