一 、单选题
1. 最常用于测试硅片电阻率的方法是（ ）。
A. 扩展电阻法
B. 四探针法
C. 两探针法
D. 范德堡法
答案：B
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2. 硅片厚度的最大值与最小值之差表示为（ ）。
A. TIR
B. FPD
C. TTV
D. WARP
答案：C
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3. 最常用于测试硅片电阻率的方法是（ ）。
A. 扩展电阻法
B. 四探针法
C. 两探针法
D. 范德堡法
答案：B
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4. 自然界中硅有三种同位素28Si，28Si，
28Si，存量最多的是（ ）。
A. 28Si
B. 29Si
C. 30Si
D. 不能确定
答案：A
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5. 关于硅的化学性质说法错误的是（ ）。
A. 硅单质在常温下化学性质十分稳定
B. 硅单质在常温下能与氢氟酸和硝酸的混合物反应
C. 在高温下，硅几乎与所有物质发生化学反应
D. 硅材料的一个重要优点就是硅表面很不容易氧化
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6. 非晶硅具有大量的结构缺陷，主要是（ ）。
A. 悬挂键，我们的目标是要做全覆盖、全正确的答案搜索服务。
B. 杂质
C. 位错
D. C-Si弱键
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7. 以下太阳电池成本（单位：美元/W）最低的是（ ）。
A. 非晶硅薄膜
B. 多晶硅
C. 铜铟镓硒
D. 微晶硅薄膜
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8. 关于采用区域提纯法去除硅中硼杂质描述正确的是（ ）。
A. 几乎无效果
B. 效果明显
C. 取决于温度
D. 取决于硼的含量
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9. 铸造多晶硅制备目前最常用的方法是（ ）。
A. 布里奇曼法
B. 电磁铸锭法
C. 浇铸法
D. 热交换法
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10. 硅片中磷扩散进行掺杂的原料是（ ）。
A. PH3
B. PH5
C. POCl3
D. B2O3
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11. 观察晶体中位错最简单的方法是（ ）。，我们的目标是要做全覆盖、全正确的答案搜索服务。
A. 透射电镜法
B. 肉眼观察法
C. 浸蚀观察法
D. 手触感觉法
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12. 直拉法生长单晶硅所采用的石墨坩埚可以多次使用，它的作用是（ ）。
A. 盛硅熔体
B. 补充氧
C. 支撑石英坩埚
D. 加热
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13. 太阳电池用直拉单晶硅中的主要缺陷是（ ）。
A. 空位
B. 杂质原子
C. 位错
D. 二次缺陷
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14. GaAs属于（ ）。
A. 面心立方结构
B. 体心立方结构
C. 闪锌矿结构
D. 金刚石结构
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15. 硅晶胞中的原子数为（ ）。
A. 1，我们的目标是要做全覆盖、全正确的答案搜索服务。
B. 8
C. 14
D. 4
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16. 以下太阳电池成本（单位：美元/W）最低的是（ ）。
A. 非晶硅薄膜
B. 多晶硅
C. 铜铟镓硒
D. 微晶硅薄膜
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17. 关于染料敏化太阳电池中的纳米晶要求错误的是（ ）。
A. 高的比表面积和大量的孔隙
B. 尽可能多的吸附染料
C. 晶粒越大越好
D. 最大限度的与电解质紧密接触
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18. 对比传统西门子法，改良西门子法的优点，错误的是（ ）。
A. 节约时间
B. 降低物耗
C. 节能
D. 减少污染
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19. 改良西门子法所采用的提纯工艺是（ ）。
A. 吸附国开一网一平台
B. 精馏
C. 物理提纯法
D. 区域提纯
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20. 关于四氯化硅以下说法错误的是（ ）。
A. 无色而有刺鼻气味的液体
B. 熔点-70℃，沸点57.6℃
C. 可以经吸入、食入、经皮吸收，对眼睛及上呼吸道有强烈刺激作用
D. 不溶于苯、氯仿、石油醚等多数有机溶剂
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二 、多选题
1. 金属杂质的吸杂工艺一般包括（ ）。
A. 升温熔化金属杂质
B. 原金属沉淀的溶解
C. 金属原子的扩散
D. 金属杂质在吸杂点处的重新沉淀
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2. 硅片清洗的作用是（ ）。
A. 提高绝缘性能
B. 去除边缘腐蚀时的油污、水气、灰尘
C. 降低杂质离子对P-N结性能的影响
D. 降低杂质的存在带来的硅片的电阻率不稳定
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3. 以下哪些工艺是热交换法制备多晶硅必须的（ ）。
A. 化料
B. 晶体生长
C. 退火
D. 坩锅喷涂
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4. 由于跟FZ技术相比，CZ法具有（ ）。
A. 熔体稳定，我们的目标是要做全覆盖、全正确的答案搜索服务。
B. 晶体直径大
C. 对多晶形状要求低
D. 通过晶转和锅转控制晶体-熔体边界层能较好的控制径向掺杂均匀度
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5. 石英坩埚喷涂氮化硅的作用是（ ）。
A. 隔离硅熔体与石英坩埚，减少杂质
B. 绝热，保温
C. 降低热应力
D. 有效较少碎裂，使坩埚能重复利用
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6. 浇铸法的缺点在于（ ）。
A. 熔融和结晶使用不同的坩埚，会导致二次污染
B. 有坩埚翻转机构及引锭机构，使得其结构相对较复杂
C. 生产效率低
D. 能耗高
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7. 工业吸附对于吸附剂的要求包括（ ）。
A. 具有较大的内表面，吸附容量大
B. 选择性高
C. 具有一定的机械强度，抗磨损
D. 有良好的物理及化学性能，耐热冲击，耐腐蚀
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8. 改良西门子法生产多晶硅的主要优点有（ ）。
A. 节能
B. 降低物耗
C. 减少污染
D. 生长速度快
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9. 关于三氯氢硅说法正确的是（ ）。
A. 无色透明液体
B. 可由硅粉与氯化氢合成而得
C. 可在高温高压下用氢还原四氯化硅生成三氯氢硅
D. 熔点-128℃，沸点31.5℃
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10. 关于点缺陷说法正确的是（ ）。
A. 金属中的点缺陷增加了电阻
B. 空位越多，晶体的密度越低国开一网一平台
C. 点缺陷使得固体内原子扩散更容易进行
D. 点缺陷使得滑移更容易进行
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三 、问答题
1. 晶体缺陷根据缺陷的空间几何图像的分类及各自代表性缺陷。
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2. 在铸造多晶硅制备过程中，石英坩埚内壁涂层SiO/SiN有什么作用？
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发表于 2024-4-20 11:39:22
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