一 、单选题
1. 利用温差电效应来测量晶体硅导电类型的方法称为（ ）。
A. 冷热探针法
B. 整流法
C. 双电源动态电导法国开一网一平台
D. 霍尔效应法
答案：A
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2. 硅片厚度的最大值与最小值之差表示为（ ）。
A. TIR
B. FPD
C. TTV
D. WARP
答案：C
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3. 用于测试硅片中少数载流子类型的测试是（ ）。
A. 四探针法
B. 整流法
C. X射线法国开一网一平台
D. 显微镜观察法
答案：B
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4. 关于二氧化硅以下说法错误的是（ ）。
A. 制造冶金硅的主要原料之一
B. 能与HF反应
C. SiO2不溶于水，但能于热的浓碱溶液反应生成硅酸盐，反应较快
D. 石英是地壳中分布很少的矿物质
答案：D
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5. 自然界中硅有三种同位素28Si，28Si，
28Si，存量最多的是（ ）。
A. 28Si
B. 29Si
C. 30Si
D. 不能确定
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6. 非晶硅具有大量的结构缺陷，主要是（ ）。
A. 悬挂键
B. 杂质
C. 位错
D. C-Si弱键
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7. 以下太阳电池成本（单位：美元/W）最低的是（ ）。
A. 非晶硅薄膜
B. 多晶硅
C. 铜铟镓硒
D. 微晶硅薄膜
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8. 铸造多晶硅制备目前最常用的方法是（ ）。
A. 布里奇曼法，我们的目标是要做全覆盖、全正确的答案搜索服务。
B. 电磁铸锭法
C. 浇铸法
D. 热交换法
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9. （ ）是硅提纯的重要环节。
A. 三氯氢硅的合成
B. 三氯氢硅的还原
C. 三氯氢硅的提纯
D. 硅烷的提纯
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10. 硅片中磷扩散进行掺杂的原料是（ ）。
A. PH3
B. PH5
C. POCl3
D. B2O3
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11. CZ法生长单晶硅工艺依次有加料、熔化以及（ ）。
A. 放肩生长、缩颈生长、等径生长、尾部生长
B. 等径生长、缩颈生长、放肩生长、尾部生长
C. 缩颈生长、放肩生长、等径生长、尾部生长
D. 缩颈生长、等径生长、放肩生长、尾部生长
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12. 生产直拉单晶硅时，单晶炉内需要通入（ ）作为保护气体。
A. 空气
B. 氧气
C. 氩气
D. 氢气
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13. 二元相图通常采用（）的坐标系。
A. 温度-压力（T-p）图
B. 温度-浓度（T-x）图
C. 三棱柱模型
D. 压强-浓度（p-x）图
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14. GaAs属于（ ）。
A. 面心立方结构
B. 体心立方结构
C. 闪锌矿结构
D. 金刚石结构
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15. 多晶硅属于（ ）。
A. 面心立方结构
B. 体心立方结构
C. 金刚石结构
D. 简单立方结构
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16. 关于染料敏化太阳电池中的纳米晶要求错误的是（ ）。
A. 高的比表面积和大量的孔隙
B. 尽可能多的吸附染料
C. 晶粒越大越好
D. 最大限度的与电解质紧密接触
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17. 以下太阳电池成本（单位：美元/W）最低的是（ ）。国开一网一平台
A. 非晶硅薄膜
B. 多晶硅
C. 铜铟镓硒
D. 微晶硅薄膜
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18. Dash工艺主要解决的是（ ）。
A. 加入转晶
B. 减少位错
C. 放肩
D. 热应力
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19. 对比传统西门子法，改良西门子法的优点，错误的是（ ）。国开一网一平台
A. 节约时间
B. 降低物耗
C. 节能
D. 减少污染
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20. 改良西门子法所采用的提纯工艺是（ ）。
A. 吸附
B. 精馏
C. 物理提纯法
D. 区域提纯
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二 、多选题
1. 硅片的翘曲度一般用（ ）参数来表示。
A. BOW
B. TTV
C. TIR
D. WARP
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2. 金属杂质的吸杂工艺一般包括（ ）。
A. 升温熔化金属杂质
B. 原金属沉淀的溶解
C. 金属原子的扩散
D. 金属杂质在吸杂点处的重新沉淀
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3. 多晶硅锭的低质量区杂质较多是由于（ ）。
A. 与坩埚接触部分引入了杂质
B. 晶粒尺寸较小
C. 晶体凝固的分凝作用
D. 热应力
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4. 金属杂质的吸杂工艺一般包括：（ ）
A. 原金属沉淀的溶解
B. 金属原子的扩散
C. 金属杂质的吸杂点处的重新沉淀
D. 升温熔化金属杂质
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5. 石英坩埚喷涂氮化硅的作用是（ ）。
A. 隔离硅熔体与石英坩埚，减少杂质
B. 绝热，保温
C. 降低热应力
D. 有效较少碎裂，使坩埚能重复利用
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6. 浇铸法的缺点在于（ ）。，我们的目标是要做全覆盖、全正确的答案搜索服务。
A. 熔融和结晶使用不同的坩埚，会导致二次污染
B. 有坩埚翻转机构及引锭机构，使得其结构相对较复杂
C. 生产效率低
D. 能耗高
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7. 以下对吸附描述正确的是（ ）。
A. 物理吸附是可逆的
B. 物理吸附是不可逆的
C. 化学吸附是可逆的
D. 化学吸附是不可逆的
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8. 无坩埚区域提纯（ ）。
A. 也可用于晶体生长
B. 避免了坩埚的污染
C. 熔硅不会流动是由于其很大的表面张力
D. 硅也能采用水平区域提纯法
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9. 有机太阳电池基本的结构模型有（ ）。
A. PIN结构
B. 单层同异质结结构国开一网一平台
C. 双层异质结结构
D. 单层混合膜异质结结构
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10. 非晶硅太阳电池相对与晶体硅太阳电池的优点在于（ ）。
A. 材料和制造工艺成本低
B. 易于形成大规模生产能力以及大面积化生产
C. 易实现柔性电池
D. 具有S-W效应
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三 、问答题
1. 铸造多晶硅是利用铸造技术制备的多晶硅，与单晶硅制备方法相比，成本相对降低。但是铸造多晶硅中存在大量形态各异的晶粒、晶界、位错、杂质，它们都会对最终的转换效率产生影响。实际应用中，为了制备优良的太阳能电池，在铸造多晶硅生长时，需要解决哪些问题？并简单叙述为什么要解决这些问题？
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2. 简述单晶硅、多晶硅、非晶硅的定义及主要相关工艺？
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发表于 2024-4-20 11:37:11
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