一 、单选题
1. 线切割机切割的效率（ ），切割损耗（ ），表面损伤（ ）。
A. 高 小 小
B. 高 大 小
C. 低 小 大
D. 低 大 大
答案：A
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2. （ ）接触能形成整流特性接触和良好的欧姆接触。
A. 半导体与半导体
B. 金属与半导体
C. 金属与金属
D. 金属与绝缘体
答案：B
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3. 常规电池的厚度（ ），开路电压及填充因子（ ）。
A. 减小 下降
B. 减小 上升
C. 减小 不变
D. 增加 不变
答案：A
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4. 非晶硅有两个致命缺点，一是（ ），二是它的光电转化效率比晶体硅太阳电池低。
A. 工艺复杂
B. 大面积均匀性的困难
C. 光致衰减效应
D. 陷光效应
答案：C
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5. （ ）对电池性能的影响直接反映在对材料参数及电池的电学参数的影响上。，我们的目标是要做全覆盖、全正确的答案搜索服务。
A. 温度
B. 厚度
C. 辐射
D. 大小
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6. 目前的拉晶工艺几乎都采用平放肩工艺,肩部形成一个近（ ）的夹角。
A. 300
B. 450
C. 900
D. 1800
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7. 布喇菲格子的特点是每个格点周围的环境（ ）。
A. 都相同
B. 都不同
C. 部分相同
D. 部分不同
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8. 若原子脱离格点后，形成填隙原子，这样的热缺陷称为（ ）缺陷。
A. 弗仑克尔
B. 肖特基
C. 组成
D. 以上皆不是
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9. 为使太阳电池所接收到的太阳直射辐射能量最多，就要确定太阳（ ）。
A. 高度角
B. 方位角
C. 入射角
D. 日照时间
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10. 铜铟镓硒薄膜太阳电池走向大规模的产业化最大的困难是（ ）。
A. 性能不稳定
B. 光电转换效率低
C. 复杂的多层结构和敏感的元素配比，对工艺和设备的要求非常严格
D. 其成本高、抗辐射能力弱
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二 、多选题
1. 晶体缺陷按照缺陷的几何形状和涉及的范围可以分为（ ）。
A. 点缺陷
B. 线缺陷
C. 面缺陷
D. 体缺陷
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2. 硝酸(HNO3) 不能溶解的有（ ）。
A. 金
B. 铂
C. 铜
D. 铁
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3. 多晶硅锭的两种常见生产方法有（ ）。
A. 浇铸法
B. 直拉法
C. 直熔法
D. 区熔法
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4. 微晶硅太阳电池的特点（ ）。
A. 不存在光致衰减现象，具有较好的稳定性
B. 光谱响应范围窄
C. 低吸收系数
D. 工艺简单、成本低
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5. 非晶硅薄膜太阳电池与晶体硅太阳电池相比，具有什么优点（ ）。
A. 光致衰减低
B. 重量轻
C. 耗能少
D. 工艺简单、成本低
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三 、问答题
1. 简述杂质原子形成替位式杂质或间隙式杂质的取决因素。
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2. 简述影响太阳电池性能的主要因素。
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3. 为什么说低温低光照的太阳电池特性甚至会比高温高光照度下带来问题更严重？
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四 、配伍题
1. 将晶体金属中原子堆积方式一一对应。
A. 铜型堆积
B. 六方密堆积
C. 面心立方密堆积
D. 钾型堆积
E. 镁型堆积
F. 体心立方堆积
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2. 将下列我国太阳电池发展历程一一对应。
A. 我国开始研制太阳电池
B. 1958年
C. 我国发射的第二颗人造卫星—科学实验卫星实践一号上首次应用太阳电池
D. 1971年
E. 1979年，我们的目标是要做全覆盖、全正确的答案搜索服务。
F. 我国开始利用半导体工业废次硅材料生产单晶硅太阳电池
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3. 将下列省份地区与太阳能资源分布情况一一对应。
A. 山东
B. 二类
C. 江西
D. 三类
E. 四类
F. 宁夏南部
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4. 将下列概念与意义作用一一匹配。
A. 腐蚀
B. 降低了表面反射提高光生载流子的收集
C. 由热运动所引起的杂质原子和基体原子的输运过程
D. 扩散
E. 绒面
F. 去除表面的切片机械损伤
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发表于 2024-4-20 11:47:22
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