一 、单选题
1. 用于测试硅片中少数载流子类型的测试是（ ）。
A. 四探针法
B. 整流法
C. X射线法
D. 显微镜观察法
答案：B
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2. 最常用于测试硅片电阻率的方法是（ ）。
A. 扩展电阻法
B. 四探针法
C. 两探针法
D. 范德堡法
答案：B
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3. 利用温差电效应来测量晶体硅导电类型的方法称为（ ）。
A. 冷热探针法
B. 整流法
C. 双电源动态电导法
D. 霍尔效应法
答案：A
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4. 自然界中硅有三种同位素28Si，28Si，
28Si，存量最多的是（ ）。
A. 28Si
B. 29Si
C. 30Si
D. 不能确定
答案：A
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5. 关于硅的化学性质说法错误的是（ ）。
A. 硅单质在常温下化学性质十分稳定
B. 硅单质在常温下能与氢氟酸和硝酸的混合物反应
C. 在高温下，硅几乎与所有物质发生化学反应
D. 硅材料的一个重要优点就是硅表面很不容易氧化
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6. 非晶硅具有大量的结构缺陷，主要是（ ）。
A. 悬挂键
B. 杂质
C. 位错
D. C-Si弱键
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7. 以下太阳电池成本（单位：美元/W）最低的是（ ）。
A. 非晶硅薄膜
B. 多晶硅
C. 铜铟镓硒
D. 微晶硅薄膜
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8. 相平衡条件要求平衡相的（ ）相等。
A. 温度
B. 压强
C. 体积
D. 化学势
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9. 铸造多晶硅制备目前最常用的方法是（ ）。
A. 布里奇曼法
B. 电磁铸锭法
C. 浇铸法
D. 热交换法
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10. 铸造多晶硅制备目前最常用的方法是（ ）。
A. 布里奇曼法
B. 电磁铸锭法
C. 浇铸法
D. 热交换法
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11. CZ法生长单晶硅工艺依次有加料、熔化以及（ ）。
A. 放肩生长、缩颈生长、等径生长、尾部生长
B. 等径生长、缩颈生长、放肩生长、尾部生长
C. 缩颈生长、放肩生长、等径生长、尾部生长
D. 缩颈生长、等径生长、放肩生长、尾部生长
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12. 观察晶体中位错最简单的方法是（ ）。
A. 透射电镜法
B. 肉眼观察法
C. 浸蚀观察法
D. 手触感觉法
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13. 生产直拉单晶硅时，单晶炉内需要通入（ ）作为保护气体。
A. 空气
B. 氧气
C. 氩气
D. 氢气
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14. 原子（或分子）的扩散是依靠（ ）缺陷的运动而实现的。
A. 点缺陷
B. 线缺陷
C. 面缺陷
D. 体缺陷
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15. 硅晶胞中的原子数为（ ）。
A. 1国开一网一平台
B. 8
C. 14
D. 4
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16. 以下太阳电池成本（单位：美元/W）最低的是（ ）。
A. 非晶硅薄膜
B. 多晶硅
C. 铜铟镓硒
D. 微晶硅薄膜
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17. 关于染料敏化太阳电池中的纳米晶要求错误的是（ ）。
A. 高的比表面积和大量的孔隙
B. 尽可能多的吸附染料
C. 晶粒越大越好
D. 最大限度的与电解质紧密接触
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18. 对比传统西门子法，改良西门子法的优点，错误的是（ ）。
A. 节约时间
B. 降低物耗
C. 节能
D. 减少污染
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19. 改良西门子法所采用的提纯工艺是（ ）。
A. 吸附
B. 精馏
C. 物理提纯法
D. 区域提纯
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20. 关于四氯化硅以下说法错误的是（ ）。
A. 无色而有刺鼻气味的液体
B. 熔点-70℃，沸点57.6℃
C. 可以经吸入、食入、经皮吸收，对眼睛及上呼吸道有强烈刺激作用
D. 不溶于苯、氯仿、石油醚等多数有机溶剂
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二 、多选题
1. 金属杂质的吸杂工艺一般包括（ ）。
A. 升温熔化金属杂质
B. 原金属沉淀的溶解
C. 金属原子的扩散
D. 金属杂质在吸杂点处的重新沉淀
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2. 硅片的平整度一般用（ ）参数来表示。
A. BOW
B. TTV
C. TIR
D. FPD
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3. 制备性能优良的太阳能电池，在铸造多晶硅晶体生长时，需要解决的问题有（ ）
A. 尽量大的晶粒
B. 尽量均匀的固液界面温度
C. 尽量小的热应力
D. 尽可能减少来自坩埚的污染
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4. 金属杂质的吸杂工艺一般包括：（ ）
A. 原金属沉淀的溶解
B. 金属原子的扩散
C. 金属杂质的吸杂点处的重新沉淀
D. 升温熔化金属杂质
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5. 浇铸法的缺点在于（ ）。
A. 熔融和结晶使用不同的坩埚，会导致二次污染
B. 有坩埚翻转机构及引锭机构，使得其结构相对较复杂
C. 生产效率低
D. 能耗高
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6. 石英坩埚喷涂氮化硅的作用是（ ）。
A. 隔离硅熔体与石英坩埚，减少杂质
B. 绝热，保温
C. 降低热应力
D. 有效较少碎裂，使坩埚能重复利用国开一网一平台
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7. 以下对吸附描述正确的是（ ）。
A. 物理吸附是可逆的
B. 物理吸附是不可逆的
C. 化学吸附是可逆的
D. 化学吸附是不可逆的
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8. 目前工业生产中由高纯多晶硅生长单晶硅基本上以（ ）方法为主。
A. 区熔法
B. 热交换法
C. 直拉法
D. 浇铸法
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9. 关于晶体的宏观特性说法正确的是（ ）。
A. 长程有序
B. 固定熔点
C. 解理性和各向异性
D. 晶面角守恒
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10. 常用的多晶硅薄膜的制备方法有（ ）。
A. 利用化学气相沉积直接制备多晶硅薄膜
B. 非晶硅晶化制备
C. 将多晶硅片切薄
D. 对多晶硅片进行热处理
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三 、问答题
1. 铸造多晶硅晶体生长时面临的主要问题及可能的解决途径？
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2. 铸造多晶硅是利用铸造技术制备的多晶硅，与单晶硅制备方法相比，成本相对降低。但是铸造多晶硅中存在大量形态各异的晶粒、晶界、位错、杂质，它们都会对最终的转换效率产生影响。实际应用中，为了制备优良的太阳能电池，在铸造多晶硅生长时，需要解决哪些问题？并简单叙述为什么要解决这些问题？
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发表于 2024-4-20 11:46:22
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