一 、单选题
1. 利用温差电效应来测量晶体硅导电类型的方法称为（ ）。
A. 冷热探针法
B. 整流法
C. 双电源动态电导法
D. 霍尔效应法
答案：A
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2. 最常用于测试硅片电阻率的方法是（ ）。
A. 扩展电阻法
B. 四探针法
C. 两探针法
D. 范德堡法
答案：B
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3. 硅片厚度的最大值与最小值之差表示为（ ）。国开一网一平台
A. TIR
B. FPD
C. TTV
D. WARP
答案：C
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4. 据《参考消息》报道，有科学家提出硅是“21世纪的能源”、“未来的石油”的观点。假如硅作为一种普遍使用的新型能源被开发利用，下列关于其有利因素的说法中，你认为不妥的是（ ）。
A. 便于运输、储存，从安全角度考虑，硅是最佳的燃料
B. 自然界的含硅化合物易开采
C. 硅燃烧放出的热量大，燃烧产物对环境污染程度低且容易有效控制
D. 自然界中存在大量单质硅
答案：D
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5. 关于二氧化硅以下说法错误的是（ ）。
A. 制造冶金硅的主要原料之一
B. 能与HF反应
C. SiO2不溶于水，但能于热的浓碱溶液反应生成硅酸盐，反应较快
D. 石英是地壳中分布很少的矿物质
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6. 以下太阳电池成本（单位：美元/W）最低的是（ ）。
A. 非晶硅薄膜
B. 多晶硅
C. 铜铟镓硒
D. 微晶硅薄膜
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7. 非晶硅具有大量的结构缺陷，主要是（ ）。
A. 悬挂键
B. 杂质
C. 位错
D. C-Si弱键
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8. 铸造多晶硅制备目前最常用的方法是（ ）。
A. 布里奇曼法
B. 电磁铸锭法
C. 浇铸法
D. 热交换法
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9. 硅片中磷扩散进行掺杂的原料是（ ）。
A. PH3
B. PH5
C. POCl3
D. B2O3
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10. 关于采用区域提纯法去除硅中硼杂质描述正确的是（ ）。
A. 几乎无效果
B. 效果明显
C. 取决于温度
D. 取决于硼的含量
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11. CZ法生长单晶硅工艺依次有加料、熔化以及（ ）。
A. 放肩生长、缩颈生长、等径生长、尾部生长
B. 等径生长、缩颈生长、放肩生长、尾部生长
C. 缩颈生长、放肩生长、等径生长、尾部生长
D. 缩颈生长、等径生长、放肩生长、尾部生长
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12. 观察晶体中位错最简单的方法是（ ）。
A. 透射电镜法
B. 肉眼观察法
C. 浸蚀观察法
D. 手触感觉法
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13. 二元相图通常采用（）的坐标系。
A. 温度-压力（T-p）图
B. 温度-浓度（T-x）图
C. 三棱柱模型
D. 压强-浓度（p-x）图
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14. 多晶硅属于（ ）。
A. 面心立方结构
B. 体心立方结构
C. 金刚石结构
D. 简单立方结构
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15. 多晶硅属于（ ）。，我们的目标是要做全覆盖、全正确的答案搜索服务。国开一网一平台
A. 面心立方结构
B. 体心立方结构
C. 金刚石结构，我们的目标是要做全覆盖、全正确的答案搜索服务。
D. 简单立方结构
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16. 关于染料敏化太阳电池中的纳米晶要求错误的是（ ）。
A. 高的比表面积和大量的孔隙
B. 尽可能多的吸附染料
C. 晶粒越大越好
D. 最大限度的与电解质紧密接触
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17. 以下太阳电池成本（单位：美元/W）最低的是（ ）。
A. 非晶硅薄膜，我们的目标是要做全覆盖、全正确的答案搜索服务。
B. 多晶硅
C. 铜铟镓硒
D. 微晶硅薄膜
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18. 关于四氯化硅以下说法错误的是（ ）。
A. 无色而有刺鼻气味的液体
B. 熔点-70℃，沸点57.6℃，我们的目标是要做全覆盖、全正确的答案搜索服务。
C. 可以经吸入、食入、经皮吸收，对眼睛及上呼吸道有强烈刺激作用
D. 不溶于苯、氯仿、石油醚等多数有机溶剂
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19. 对比传统西门子法，改良西门子法的优点，错误的是（ ）。
A. 节约时间
B. 降低物耗
C. 节能，我们的目标是要做全覆盖、全正确的答案搜索服务。
D. 减少污染
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20. 关于四氯化硅以下说法错误的是（ ）。
A. 无色而有刺鼻气味的液体
B. 熔点-70℃，沸点57.6℃
C. 可以经吸入、食入、经皮吸收，对眼睛及上呼吸道有强烈刺激作用
D. 不溶于苯、氯仿、石油醚等多数有机溶剂
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二 、多选题
1. 硅片清洗的作用是（ ）。
A. 提高绝缘性能
B. 去除边缘腐蚀时的油污、水气、灰尘
C. 降低杂质离子对P-N结性能的影响
D. 降低杂质的存在带来的硅片的电阻率不稳定
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2. 硅片的平整度一般用（ ）参数来表示。
A. BOW
B. TTV
C. TIR
D. FPD
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3. 改良西门子法相对传统西门子法增加了哪些工艺流程（ ）。
A. 三氯氢硅的合成
B. 尾气干法回收系统
C. 四氯化硅氢化工艺
D. 冷凝蒸馏提纯
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4. 多晶硅锭的低质量区杂质较多是由于（ ）。
A. 与坩埚接触部分引入了杂质
B. 晶粒尺寸较小
C. 晶体凝固的分凝作用
D. 热应力
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5. 石英坩埚喷涂氮化硅的作用是（ ）。
A. 隔离硅熔体与石英坩埚，减少杂质
B. 绝热，保温
C. 降低热应力
D. 有效较少碎裂，使坩埚能重复利用
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6. 浇铸法的缺点在于（ ）。
A. 熔融和结晶使用不同的坩埚，会导致二次污染
B. 有坩埚翻转机构及引锭机构，使得其结构相对较复杂
C. 生产效率低
D. 能耗高
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7. 关于三氯氢硅说法正确的是（ ）。
A. 是制取一系列有机硅材料的中间体
B. 生产多晶硅的重要原材料之一
C. 无色、透明、极易挥发和水解
D. 易燃易爆，对人体有毒害
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8. 无坩埚区域提纯（ ）。
A. 也可用于晶体生长
B. 避免了坩埚的污染
C. 熔硅不会流动是由于其很大的表面张力
D. 硅也能采用水平区域提纯法
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9. 有机太阳电池基本的结构模型有（ ）。
A. PIN结构
B. 单层同异质结结构
C. 双层异质结结构
D. 单层混合膜异质结结构
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10. 下列属于晶体的宏观特性的有（ ）。
A. 长程有序
B. 固定熔点
C. 解理性
D. 各向异性
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三 、问答题
1. 晶体缺陷根据缺陷的空间几何图像的分类及各自代表性缺陷。
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2. 晶体缺陷根据缺陷的空间几何图像的分类及各自代表性缺陷。
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发表于 2024-4-20 11:48:22
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