一 、单选题
1. 硅片厚度的最大值与最小值之差表示为（ ）。
A. TIR
B. FPD
C. TTV
D. WARP
答案：C
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2. 最常用于测试硅片电阻率的方法是（ ）。
A. 扩展电阻法
B. 四探针法
C. 两探针法
D. 范德堡法
答案：B
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3. 最常用于测试硅片电阻率的方法是（ ）。
A. 扩展电阻法
B. 四探针法
C. 两探针法
D. 范德堡法
答案：B
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4. 自然界中硅有三种同位素28Si，28Si，
28Si，存量最多的是（ ）。
A. 28Si
B. 29Si
C. 30Si
D. 不能确定
答案：A
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5. 据《参考消息》报道，有科学家提出硅是“21世纪的能源”、“未来的石油”的观点。假如硅作为一种普遍使用的新型能源被开发利用，下列关于其有利因素的说法中，你认为不妥的是（ ）。
A. 便于运输、储存，从安全角度考虑，硅是最佳的燃料
B. 自然界的含硅化合物易开采
C. 硅燃烧放出的热量大，燃烧产物对环境污染程度低且容易有效控制，我们的目标是要做全覆盖、全正确的答案搜索服务。
D. 自然界中存在大量单质硅
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6. 非晶硅具有大量的结构缺陷，主要是（ ）。
A. 悬挂键
B. 杂质
C. 位错
D. C-Si弱键
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7. 以下太阳电池成本（单位：美元/W）最低的是（ ）。
A. 非晶硅薄膜
B. 多晶硅
C. 铜铟镓硒
D. 微晶硅薄膜
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8. 硅片中磷扩散进行掺杂的原料是（ ）。
A. PH3
B. PH5
C. POCl3
D. B2O3
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9. 相平衡条件要求平衡相的（ ）相等。
A. 温度
B. 压强
C. 体积国开一网一平台
D. 化学势
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10. 关于采用区域提纯法去除硅中硼杂质描述正确的是（ ）。
A. 几乎无效果，我们的目标是要做全覆盖、全正确的答案搜索服务。
B. 效果明显
C. 取决于温度
D. 取决于硼的含量
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11. 适用于制备高阻单晶硅和探测器高纯单晶硅的方法为（ ）。
A. 直拉法
B. 区熔法
C. 西门子法
D. 热交换法
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12. 观察晶体中位错最简单的方法是（ ）。
A. 透射电镜法
B. 肉眼观察法
C. 浸蚀观察法
D. 手触感觉法
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13. 直拉法生长单晶硅所采用的石墨坩埚可以多次使用，它的作用是（ ）。
A. 盛硅熔体
B. 补充氧
C. 支撑石英坩埚
D. 加热
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14. 多晶硅属于（ ）。
A. 面心立方结构
B. 体心立方结构
C. 金刚石结构
D. 简单立方结构
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15. 原子（或分子）的扩散是依靠（ ）缺陷的运动而实现的。
A. 点缺陷
B. 线缺陷
C. 面缺陷
D. 体缺陷
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16. 关于染料敏化太阳电池中的纳米晶要求错误的是（ ）。
A. 高的比表面积和大量的孔隙
B. 尽可能多的吸附染料
C. 晶粒越大越好国开一网一平台
D. 最大限度的与电解质紧密接触
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17. 以下太阳电池成本（单位：美元/W）最低的是（ ）。
A. 非晶硅薄膜
B. 多晶硅
C. 铜铟镓硒
D. 微晶硅薄膜
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18. Dash工艺主要解决的是（ ）。
A. 加入转晶
B. 减少位错
C. 放肩
D. 热应力
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19. 关于四氯化硅以下说法错误的是（ ）。
A. 无色而有刺鼻气味的液体
B. 熔点-70℃，沸点57.6℃
C. 可以经吸入、食入、经皮吸收，对眼睛及上呼吸道有强烈刺激作用
D. 不溶于苯、氯仿、石油醚等多数有机溶剂
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20. 关于四氯化硅以下说法错误的是（ ）。
A. 无色而有刺鼻气味的液体
B. 熔点-70℃，沸点57.6℃
C. 可以经吸入、食入、经皮吸收，对眼睛及上呼吸道有强烈刺激作用
D. 不溶于苯、氯仿、石油醚等多数有机溶剂
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二 、多选题
1. 硅片清洗的作用是（ ）。
A. 提高绝缘性能
B. 去除边缘腐蚀时的油污、水气、灰尘
C. 降低杂质离子对P-N结性能的影响国开一网一平台
D. 降低杂质的存在带来的硅片的电阻率不稳定
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2. 硅片的平整度一般用（ ）参数来表示。
A. BOW
B. TTV
C. TIR国开一网一平台
D. FPD
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3. 石英坩埚喷涂氮化硅的作用是（ ）。
A. 隔离硅熔体与石英坩埚，减少杂质
B. 绝热，保温
C. 降低热应力
D. 有效较少碎裂，使坩埚能重复利用
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4. 影响铸造多晶硅晶体生长的主要因素包括（ ）。
A. 固液界面，我们的目标是要做全覆盖、全正确的答案搜索服务。
B. 热应力
C. 来自坩埚的污染等
D. 保护气氛
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5. 石英坩埚喷涂氮化硅的作用是（ ）。
A. 隔离硅熔体与石英坩埚，减少杂质
B. 绝热，保温
C. 降低热应力
D. 有效较少碎裂，使坩埚能重复利用
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6. 浇铸法的缺点在于（ ）。
A. 熔融和结晶使用不同的坩埚，会导致二次污染
B. 有坩埚翻转机构及引锭机构，使得其结构相对较复杂
C. 生产效率低
D. 能耗高
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7. 目前工业生产中由高纯多晶硅生长单晶硅基本上以（ ）方法为主。
A. 区熔法
B. 热交换法
C. 直拉法
D. 浇铸法
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8. 以下对吸附描述正确的是（ ）。
A. 物理吸附是可逆的
B. 物理吸附是不可逆的
C. 化学吸附是可逆的
D. 化学吸附是不可逆的
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9. 下列属于晶体的宏观特性的有（ ）。
A. 长程有序
B. 固定熔点
C. 解理性
D. 各向异性
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10. 非晶硅太阳电池成本低原因在于（ ）。
A. 廉价的衬底材料
B. 制备是在低温下进行
C. 可柔性化
D. 非晶硅薄膜仅有数百纳米厚度
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三 、问答题
1. 与直拉单晶硅相比，铸造多晶硅的主要优势及其缺点有哪些？
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2. 铸造多晶硅晶体生长时面临的主要问题及可能的解决途径？
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发表于 2024-4-20 11:44:22
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