一 、单选题
1. 最常用于测试硅片电阻率的方法是（ ）。
A. 扩展电阻法
B. 四探针法
C. 两探针法
D. 范德堡法
答案：B
- 关注公众号【】，对话框内发送试题，获得答案。
2. 硅片厚度的最大值与最小值之差表示为（ ）。，我们的目标是要做全覆盖、全正确的答案搜索服务。
A. TIR
B. FPD
C. TTV
D. WARP
答案：C
- 关注公众号【】，对话框内发送试题，获得答案。
3. 少子寿命的物理意义是（ ）。
A. 非平衡少数载流子复合所需要的平均时间
B. 非平衡少数载流子扩散所需要的平均时间
C. 非平衡少数载流子跃迁所需要的平均时间
D. 以上都不对
答案：A
- 关注公众号【】，对话框内发送试题，获得答案。
4. 自然界中硅有三种同位素28Si，28Si，
28Si，存量最多的是（ ）。
A. 28Si
B. 29Si
C. 30Si
D. 不能确定
答案：A
- 关注公众号【】，对话框内发送试题，获得答案。
5. 关于硅的化学性质说法错误的是（ ）。
A. 硅单质在常温下化学性质十分稳定
B. 硅单质在常温下能与氢氟酸和硝酸的混合物反应
C. 在高温下，硅几乎与所有物质发生化学反应
D. 硅材料的一个重要优点就是硅表面很不容易氧化
答案：关注公众号【】，对话框内发送试题，获得答案。
6. 非晶硅具有大量的结构缺陷，主要是（ ）。
A. 悬挂键
B. 杂质
C. 位错
D. C-Si弱键
答案：关注公众号【】，对话框内发送试题，获得答案。
7. 以下太阳电池成本（单位：美元/W）最低的是（ ）。
A. 非晶硅薄膜
B. 多晶硅
C. 铜铟镓硒
D. 微晶硅薄膜
答案：关注公众号【】，对话框内发送试题，获得答案。
8. 硅片中磷扩散进行掺杂的原料是（ ）。
A. PH3
B. PH5
C. POCl3
D. B2O3
答案：关注公众号【】，对话框内发送试题，获得答案。
9. 铸造多晶硅制备目前最常用的方法是（ ）。
A. 布里奇曼法
B. 电磁铸锭法
C. 浇铸法
D. 热交换法
答案：关注公众号【】，对话框内发送试题，获得答案。
10. 铸造多晶硅制备目前最常用的方法是（ ）。
A. 布里奇曼法
B. 电磁铸锭法
C. 浇铸法
D. 热交换法
答案：关注公众号【】，对话框内发送试题，获得答案。
11. 直拉法生长单晶硅所采用的石墨坩埚可以多次使用，它的作用是（ ）。
A. 盛硅熔体
B. 补充氧
C. 支撑石英坩埚
D. 加热
答案：关注公众号【】，对话框内发送试题，获得答案。
12. 观察晶体中位错最简单的方法是（ ）。
A. 透射电镜法
B. 肉眼观察法
C. 浸蚀观察法
D. 手触感觉法
答案：关注公众号【】，对话框内发送试题，获得答案。
13. 太阳电池用直拉单晶硅中的主要缺陷是（ ）。
A. 空位
B. 杂质原子
C. 位错
D. 二次缺陷
答案：关注公众号【】，对话框内发送试题，获得答案。
14. GaAs属于（ ）。
A. 面心立方结构
B. 体心立方结构
C. 闪锌矿结构
D. 金刚石结构
答案：关注公众号【】，对话框内发送试题，获得答案。
15. 原子（或分子）的扩散是依靠（ ）缺陷的运动而实现的。
A. 点缺陷
B. 线缺陷
C. 面缺陷
D. 体缺陷
答案：关注公众号【】，对话框内发送试题，获得答案。
16. 以下太阳电池成本（单位：美元/W）最低的是（ ）。
A. 非晶硅薄膜
B. 多晶硅
C. 铜铟镓硒
D. 微晶硅薄膜
答案：关注公众号【】，对话框内发送试题，获得答案。
17. 关于染料敏化太阳电池中的纳米晶要求错误的是（ ）。
A. 高的比表面积和大量的孔隙
B. 尽可能多的吸附染料
C. 晶粒越大越好
D. 最大限度的与电解质紧密接触
答案：关注公众号【】，对话框内发送试题，获得答案。
18. Dash工艺主要解决的是（ ）。
A. 加入转晶
B. 减少位错
C. 放肩，我们的目标是要做全覆盖、全正确的答案搜索服务。
D. 热应力
答案：关注公众号【】，对话框内发送试题，获得答案。
19. 关于四氯化硅以下说法错误的是（ ）。
A. 无色而有刺鼻气味的液体
B. 熔点-70℃，沸点57.6℃
C. 可以经吸入、食入、经皮吸收，对眼睛及上呼吸道有强烈刺激作用
D. 不溶于苯、氯仿、石油醚等多数有机溶剂
答案：关注公众号【】，对话框内发送试题，获得答案。
20. 对比传统西门子法，改良西门子法的优点，错误的是（ ）。
A. 节约时间
B. 降低物耗
C. 节能
D. 减少污染
答案：关注公众号【】，对话框内发送试题，获得答案。
二 、多选题
1. 金属杂质的吸杂工艺一般包括（ ）。
A. 升温熔化金属杂质
B. 原金属沉淀的溶解
C. 金属原子的扩散
D. 金属杂质在吸杂点处的重新沉淀
答案：关注公众号【】，对话框内发送试题，获得答案。
2. 硅片清洗的作用是（ ）。
A. 提高绝缘性能
B. 去除边缘腐蚀时的油污、水气、灰尘
C. 降低杂质离子对P-N结性能的影响
D. 降低杂质的存在带来的硅片的电阻率不稳定
答案：关注公众号【】，对话框内发送试题，获得答案。
3. 电磁铸锭法说法错误的是（ ）。
A. 熔体与坩埚不直接接触
B. 电磁力对硅熔体的作用，可能使硅熔体中掺杂剂的分布更为均匀
C. 硅锭中晶粒较细小
D. 较少晶体缺陷
答案：关注公众号【】，对话框内发送试题，获得答案。
4. 磷在硅中很容易去除，在于（ ）。
A. 磷在硅熔液中很快得到蒸发
B. 磷的密度小
C. 磷在硅中的分配系数小于1
D. 磷的熔点低
答案：关注公众号【】，对话框内发送试题，获得答案。
5. 石英坩埚喷涂氮化硅的作用是（ ）。
A. 隔离硅熔体与石英坩埚，减少杂质
B. 绝热，保温
C. 降低热应力
D. 有效较少碎裂，使坩埚能重复利用
答案：关注公众号【】，对话框内发送试题，获得答案。
6. 浇铸法的缺点在于（ ）。
A. 熔融和结晶使用不同的坩埚，会导致二次污染
B. 有坩埚翻转机构及引锭机构，使得其结构相对较复杂
C. 生产效率低
D. 能耗高
答案：关注公众号【】，对话框内发送试题，获得答案。，我们的目标是要做全覆盖、全正确的答案搜索服务。
7. 关于三氯氢硅说法正确的是（ ）。
A. 是制取一系列有机硅材料的中间体
B. 生产多晶硅的重要原材料之一
C. 无色、透明、极易挥发和水解，我们的目标是要做全覆盖、全正确的答案搜索服务。
D. 易燃易爆，对人体有毒害
答案：关注公众号【】，对话框内发送试题，获得答案。
8. 以下对吸附描述正确的是（ ）。
A. 物理吸附是可逆的
B. 物理吸附是不可逆的
C. 化学吸附是可逆的
D. 化学吸附是不可逆的
答案：关注公众号【】，对话框内发送试题，获得答案。
9. 关于硅的电阻率说法正确的是（ ）。
A. 在高纯硅中掺入极微量的电活性杂质，其电阻率会显著下降
B. 硅的电导率对外界因素（如光、热、磁等）高度敏感
C. N型半导体中也有自由电子，但数量很少，称为少数载流子
D. N型半导体和P型半导体的导电能力都比本征半导体大得多
答案：关注公众号【】，对话框内发送试题，获得答案。
10. 非晶硅太阳电池成本低原因在于（ ）。
A. 廉价的衬底材料
B. 制备是在低温下进行
C. 可柔性化
D. 非晶硅薄膜仅有数百纳米厚度
答案：关注公众号【】，对话框内发送试题，获得答案。
三 、问答题
1. 从形态、质量、能耗、大小、晶体形状及电池效率对比直拉单晶硅和铸造多晶硅的性质。
答案：关注公众号【】，对话框内发送试题，获得答案。
2. 简述太阳能电池用单晶硅加工所经历的滚圆、切片、倒角、磨片、化学腐蚀等5道主要工序的目的。
答案：关注公众号【】，对话框内发送试题，获得答案。
关注公众号【】，回复【试题】获取试题答案
发表于 2024-4-20 11:41:22
中发现Ni：
中发现Ni：
中发现Ni：
中发现Ni：
中发现Ni：
中发现Ni：
QQ登录
