一 、单选题
1. 电池烧结前先对电极进行（ ），之后再进行烧结。
A. 氧化
B. 加热
C. 烘干
D. 铜化
答案：D
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2. （ ）接触能形成整流特性接触和良好的欧姆接触。
A. 半导体与半导体
B. 金属与半导体
C. 金属与金属
D. 金属与绝缘体
答案：B
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3. 非晶硅有两个致命缺点，一是（ ），二是它的光电转化效率比晶体硅太阳电池低。
A. 工艺复杂
B. 大面积均匀性的困难
C. 光致衰减效应
D. 陷光效应
答案：C
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4. 以下（ ）用于固态源扩散。
A. 氮化硼
B. 硼酸三甲酯
C. 硼酸三丙酯
D. 三溴化硼
答案：A
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5. 常规电池的厚度（ ），开路电压及填充因子（ ）。国开一网一平台
A. 减小 下降
B. 减小 上升
C. 减小 不变，我们的目标是要做全覆盖、全正确的答案搜索服务。
D. 增加 不变
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6. 将晶面在（ ）个基矢上的截距的倒数之比化为互质整数比，称为该晶面族的密勒指数。
A. 一个
B. 二个
C. 三个
D. 四个
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7. 目前的拉晶工艺几乎都采用平放肩工艺,肩部形成一个近（ ）的夹角。
A. 300
B. 450
C. 900
D. 1800
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8. 由基矢a1、a2、a3描述的空间点阵称为（ ）。
A. 正格子
B. 倒格子
C. 正格矢
D. 倒格矢
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9. 为使太阳电池所接收到的太阳直射辐射能量最多，就要确定太阳（ ）。
A. 高度角
B. 方位角
C. 入射角
D. 日照时间
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10. 下列不是半导体异质结太阳电池的是（ ）。
A. 硫化亚铜-硫化镉太阳电池
B. 碲化镉太阳电池，我们的目标是要做全覆盖、全正确的答案搜索服务。
C. 砷化镓太阳电池
D. 非晶硅薄膜太阳电池
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二 、多选题
1. 以下所列哪些属于晶体物质（ ）。
A. 高山岩石
B. 地下矿产
C. 塑料制品
D. 两极冰川
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2. 单晶硅锭的两种常见生产工艺有（ ）。
A. 浇铸法
B. 直拉法
C. 直熔法
D. 区熔法
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3. 多晶硅锭的两种常见生产方法有（ ）。
A. 浇铸法
B. 直拉法
C. 直熔法
D. 区熔法
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4. MIS结构实际上是一个（ ）。
A. 金属-绝缘层-半导体
B. 金属
C. 电阻
D. 电容
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5. 地球太阳能资源丰富程度中低地区有（ ）。
A. 东欧
B. 新西兰
C. 朝鲜国开一网一平台
D. 日本
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三 、问答题
1. 简述布里渊区的概念及取法。
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2. 叙述引起太阳能电池效率损失的因素及应对措施
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3. 简述 PN结的电势差与那些因素有关，其关系如何。
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四 、配伍题
1. 按形成原因将点缺陷的三种类型一一对应。
A. 外来原子取代正常原子位置或进入正常结点的间隙位置。
B. 热缺陷
C. 非化学计量比引起的空位缺陷。
D. 组成缺陷
E. 色心
F. 在晶体点阵的正常格点位出现空位，不该有原子的位置出现原子。
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2. 将下列我国太阳电池发展历程一一对应。
A. 我国开始研制太阳电池
B. 1958年
C. 我国发射的第二颗人造卫星—科学实验卫星实践一号上首次应用太阳电池
D. 1971年
E. 1979年
F. 我国开始利用半导体工业废次硅材料生产单晶硅太阳电池
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3. 将下列地球太阳能资源分布情况与地区一一对应。
A. 丰富程度最高地区
B. 中国
C. 印度
D. 丰富程度中高地区
E. 丰富程度中低地区
F. 日本
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4. 将下列太阳电池与其缺陷一一对应。
A. 铜铟镓硒
B. 效率低，稳定性差
C. 严重的光致衰减效应国开一网一平台
D. 非晶硅，我们的目标是要做全覆盖、全正确的答案搜索服务。
E. 复杂结构和敏感的元素配比
F. Cu2S/CdS
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发表于 2024-4-20 11:50:33
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