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答案来源：www.ybaotk.com0404 材料化学
1.[单选题] 材料发生塑性变形开始于应力超过（ ）。
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说明
A.强度极限
B.屈服极限
C.弹性极限
D.比例极限
2.[单选题] 以那种键结合的材料最有可能导电（ ）。
A.B.金属键
B.离子键
C.共价键
D.氢键
3.[单选题] 下面那种材料是高分子材料（ ）。
A.陶瓷
B.橡胶
C.混泥土
D.铁合金
4.[单选题] [SiO4]四面体中的氧最多可以和几个Si4+相连（ ）。
A.1
B.4
C.2
D.3
5.[单选题] 以下半导体属于元素半导体的是（ ）。
A.Ga1-x Alx
B.GaAs
C.ITO
D.单晶硅
6.[单选题] 以下对材料的透明性没有影响的是（ ）。
A.散射
B.吸收
C.反射
D.折射
7.[单选题] 下那种材料不是高分子材料（ ）。
A.棉花
B.水泥
C.橡胶
D.塑料
8.[单选题] 以四乙氧基硅作前驱体制备SiO2时，不能用作催化剂的是（ ）。
A.氨水
B.盐酸
C.乙酸
D.NaCl
9.[单选题] 在立方晶系中，原子排列与其他不同的晶向是（ ）。
A.[001]
B.[011]
C.[101]
D.[110]
10.[单选题] 下列那种陶瓷原料不用作釉料（ ）。
A.黏土类原料
B.石英类原料
C.透辉石
D.长石类原料
11.[单选题] 那种金属表面可以形成致密氧化膜从而提高其抗氧化性（ ）。
A.Mg
B.ABC都不可以
C.Fe
D.Al
12.[单选题] P-N结中的电场方向是（ ）。
A.由接触面分别指向N区和P取
B.由P区指向N区
C.从N区指向P区
D.不一定
13.[单选题] 以下选项中，导电性最好的金属是（ ）。
A.铝
答案 q7 6 1 2 9 6 0 2 1
B.铁
C.铜
D.银
14.[单选题] 为了实现晶体在溶液中的连续生长，溶液浓度必须维持的晶体生长区为（ ）。
A.亚稳过饱和区
B.不稳过饱和区
C.稳定区
D.任何浓度都可以
15.[单选题] 均匀沉淀法制备氧化锌时，可用的沉淀剂为（ ）。
A.尿素
B.碳酸钠
C.氢氧化钠
D.氢氧化钾
16.[单选题] 可以用来盛装氢氟酸的容器有（ ）。
A.铝瓶
B.玻璃瓶
C.塑料瓶
D.ABC都可以
17.[单选题] 将导致晶体体积膨胀的热缺陷是（ ）。
A.肖特基缺陷
B.电子缺陷
C.晶面
D.弗伦克尔缺陷
18.[单选题] 书写缺陷方程式，下列那中缺陷将影响方程中的位置数（ ）。
A.间隙阳离子
B.空穴
C.阳离子空位
D.间隙阴离子
19.[单选题] 下列选项中，哪个是立方晶系 （ ）。
0o
D.a=b≠c; α=β=γ=90o
20.[单选题] 半导体的能带结构特是（ ）。
A.有不满带
B.都为满带且禁带很大
C.都为满带并且禁带较小
D.有能带交叠
21.[单选题] 消除陶瓷材料中的孔隙将（ )材料的热导率。
A.都可能
B.降低
C.增加
D.不影响
22.[单选题] 在NaCl中形成一个氯离子空位，则缺陷表示为（ ）。
A.
B.
C.
D.
23.[单选题] 下面那个缺陷主要是由原子热运动引起 （ ）。
A.晶界
B.电子
C.弗伦克尔缺陷
D.取代原子
24.[单选题] 地壳中含量最丰富的金属为（ ）。
A.氧
B.硅
C.铜
D.铝
25.[多选题] 立方晶系中，下列那几个关系正确（ ）。
D.[101]⊥(001)
26.[多选题] 主要用于陶瓷和金属基复合材料中的增强相有（ ）。
A.碳化硅晶须
B.氮化硅纤维
C.陶瓷颗粒
D.聚乙烯纤维
27.[多选题] 以下那些材料是介电材料（ ）。
A.铁电材料
B.导电材料
C.压电材料
D.热释电材料
28.[多选题] 矿化剂在固相反应中的作用表现为（ ）。
A.降低体系共熔点，改善液相性质
B.影响晶核的生成速率
C.改变反应机制降低反应活化能
D.影响结晶速率及晶格结构
29.[多选题] 以醇盐为前驱体，溶胶的形成经过（ ）过程。
A.溶解
B.分解
C.缩合
D.水解
30.[多选题] 关于晶胞选取的规则，正确的是（ ）。
A.晶胞棱间呈直角的时候，尽可能有多的直角
B.晶胞内相等的棱和角的数目最多
C.在满足以上条件的情况下，有尽可能小的体积
D.晶胞应尽可能反映点阵的对称性
31.[多选题] 按成分分类，半导体可分为（ ）。
A.化合物半导体
B.元素半导体
C.固溶半导体
D.微晶半导体
32.[多选题] 按照材料的尺度划分，材料可以分为（ ）。
A.三维材料
B.零维材料
C.一维材料
D.二维材料
33.[多选题] 发光效率的表示方法有（ ）。
A.量子效率
B.光度效率
C.能量效率
D.工作效率
34.[多选题] 导电材料中的载流子包括（ ）。
A.电子
B.空穴
C.原子
D.可以移动的离子
35.[多选题] 下面哪些缺陷是点缺陷（ ）。
A.晶界
B.间隙原子
C.空位
D.取代原子
36.[判断题] 压电材料一定是铁电材料（ ）。
A.正确
B.错误
37.[判断题] 在立方晶系中，[101]和[111]晶向上原子排列相同（ ）。
A.正确
B.错误
38.[判断题] 非晶体各个方向上的导热性相同（ ）。
A.正确
B.错误
39.[判断题] 在简单立方中，[111]上的原子排列与[110]上原子排列相同（ ）。
A.正确
B.错误
40.[判断题] 原子组成晶体后，核外能级共有化后过渡为能带（ ）。
A.正确
B.错误
41.[判断题] 铁磁体内磁矩能够自发磁化（ ）。
A.正确
B.错误
42.[判断题] 金属材料的导热机制主要是电子导热（ ）。
A.正确
B.错误
43.[判断题] 在整个弹性变形阶段应力应变都满足虎克定律（ ）。
A.正确
B.错误
44.[判断题] 布里渊区的边界对应于能带中的禁带（ ）。
A.正确
B.错误
45.[判断题] 同一晶系中，晶面间距愈小，该晶面上的原子排列愈紧密（ ）。
A.正确
B.错误
46.[判断题] 热容是衡量物体温度升高1K时所需要增加的热量（ ）。
A.正确
B.错误
47.[判断题] 铁电体都有压电效应（ ）。
A.正确
B.错误
48.[判断题] 纳米材料是指所有维度尺寸在1-100nm范围的材料（ ）。
A.正确
B.错误
49.[判断题] 复合材料中的多相组元完全融为一体没有界面存在（ ）。
A.正确
B.错误
50.[判断题] 电离能越大，原子越难失去电子（ ）。
A.正确
B.错误
51.[判断题] 化合物半导体可以是n型或P型半导体（ ）。
A.正确
B.错误
52.[判断题] 固溶体可以稳定晶格，阻止某些晶型转变的发生（ ）。
A.正确
B.错误
53.[判断题] 金属颗粒加入造陶瓷基体中可以改善复合材料的韧性（ ）。
A.正确
B.错误
54.[判断题] 相对而言，化学气相沉积法可以对复杂的三维工件进行沉积镀膜（ ）。
A.正确
B.错误
55.[判断题] 光反射与发光一样也有持续的余辉（ ）。
A.正确
B.错误
56.[判断题] P-N结具有单向导电性（ ）。
A.正确
B.错误
57.[判断题] 介电常数高的材料折射率低（ ）。
A.正确
B.错误
58.[判断题] 固溶体的晶体结构与溶质和溶剂的晶体结构都不相同（ ）。
A.正确
B.错误
59.[判断题]就可能获得钙钛矿型化合 ）。
A.正确
B.错误
60.[判断题] 温度升高金属的电阻率将降低（ ）。
A.正确
B.错误
61.[判断题] 金属表面形成的致密氧化膜可以阻止金属被进一步锈蚀（ ）。
A.正确
B.错误
62.[判断题] 离子不能作为导电材料中的载流子（ ）。
A.正确
B.错误
63.[判断题] 从溶液中生长单晶，溶液的过饱和度的控制是单晶生长的关键（ ）。
A.正确
B.错误
64.[判断题] 空间点阵可以分为7大晶系（ ）。
A.正确
B.错误
65.[判断题] 铁电体的铁电性与温度无关（ ）。
A.正确
B.错误
66.[判断题] 溶质和溶剂原子尺寸相差越小，固溶强化越显著（ ）。
A.正确
B.错误
67.[判断题] 求晶面指数时，原点的选取不要过程晶面（ ）。
A.正确
B.错误
68.[判断题] 离子晶体中正负离子半径比越大，配位数就越低（ ）。
A.正确
B.错误
69.[判断题] 非晶体内质点的排列是长程无序，短程有序的（ ）。
A.正确
B.错误
70.[判断题] 钢材淬火的目的是为了获得马氏体以提高其力学性能（ ）。
A.正确
B.错误
71.[判断题] 缺陷符号中下标表示缺陷位置，上标为缺陷所带的有效电荷（ ）。
A.正确
B.错误
72.[判断题] 空位的生成对缺陷方程两边的质量没有影响（ ）。
A.正确
B.错误
73.[判断题] 断面收缩率越大材料塑性越好（ ）。
A.正确
B.错误
74.[判断题] CsCl与NaCl的晶体结构相同（ ）。
A.正确
B.错误
75.[判断题] ITO透明导电氧化物是锡掺杂氧化铟（ ）。
A.正确
B.错误
76.[判断题] 用共沉淀法制备Fe3O4时，可以选取任意的pH（ ）。
A.正确
B.错误
77.[判断题] 钙钛矿ABX3结构中，A只能是二价金属，B只能是四价金属（ ）。
A.正确
B.错误
78.[判断题] 某一晶向指数代表一组在空间相互平行且方向一致的所有晶向（ ）。
A.正确
B.错误
79.[判断题] N型半导体中空穴浓度高于电子浓度（ ）。
A.正确
B.错误
80.[判断题] 在不等价置换的固溶体中，将有带电点缺陷产生（ ）。
A.正确
B.错误
81.[判断题] 固相反应中，矿化剂将在反应过程中与反应物或反应产物发生化学反应（ ）。
A.正确
B.错误
82.[判断题] 金属材料不同区域间电位差越小，电化学锈蚀越烈（ ）。
A.正确
B.错误
83.[判断题] 相对于沉积相同产物的其他反应来说，氢还原气相沉积法所需的温度通常较低（ ）。
A.正确
B.错误
84.[判断题] 直接水解法通常应选易水解的原料作为前驱体（ ）。
A.正确
B.错误
85.[判断题] Al2O3与ZnO混合加热后生成ZnAl2O4，则ZnAl2O4是固溶体（ ）。
A.正确
B.错误
86.[判断题] 离子晶体中配位多面体共用面时，其稳定性最高（ ）。
A.正确
B.错误
87.[判断题] 物料颗粒尺寸愈小,越不利于固相反应发生（ ）。
A.正确
B.错误
88.[问答题] 简述快离子导体的影响因素。
A.
89.[问答题] 简述湿法冶金主要步骤。
A.
90.[问答题] 复合材料区别于传统单一材料，简述复合材料在性能和结构上应具备的特点。
A.
91.[问答题] 根据滞回曲线和磁化曲线的不同，磁性材料可以分为那几类？并分别指出每一类的主要特点以及应用领域？
A.
92.[问答题] 阐述散射系数对材料透光性的影响。
A.
93.[问答题] 详细阐述陶瓷烧结三个阶段的结构变化。
A.
94.[问答题] 简述溶胶-凝胶法的优点。
A.
95.[问答题] 根据磁化率大小，材料可以分为哪几类？并指出那几类是强磁性材料。
A.
96.[问答题]
97.[问答题] 发光辐射的波长决定于材料的能带结构。（a）试确定纯的ZnS发射光峰值波长（Eg=3.6eV）；（b）ZnS中杂质形成的陷阱能级为导带下的1.38eV，试计算发射光中心波长。
A.
98.[问答题] 简述以钛铁矿为原料用硫酸法制备钛白粉的主要工艺步骤，并写出每一阶段的方程式。
A.
99.[问答题] 以ITO为例，说明ITO导电机制（写出相应的缺陷方程）。
A.
100.[问答题]
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发表于 2023-4-4 09:06:12
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