金属栅/高k结构有效功函数调制研究

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发表于 2022-9-9 12:09:40 | 显示全部楼层 |阅读模式
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雅宝题库解析:
金属栅/高k结构已经在亚45 nm节点的CMOS(complementary metal-oxide-semiconductor,即互补型金属氧化物半导体)技术中得到了广泛应用,从而延续了晶体管发展的摩尔定律。在金属栅极/高k介质结构的诸多题目中,调制有效功函数是一项十分重要的任务,因其决定了晶体管工作的阈值电压。然而金属栅极与高k介质间的费米能级钉扎效应阻碍了有效功函数的调制,因此对于其机制的理解十分重要。同时,Al掺杂调制有效功函数这一有效手段的定量解释也十分重要。另外,在超薄EOT(equivalent oxide thickness,即等效氧化物厚度)条件下(





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